功能描述：MOSFET N-CH 40V 112A TO220F

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：-

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：112A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：100nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：8320pF @ 20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：41W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.9 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220F

封装/外壳：TO-220-3 整包

标准包装：50

AOTF2210L

AOTF22N50

AOTF22N50L

AOTF240L

AOTF256L

AOTF25S65

AOTF2606L

AOTF260L

AOTF2610L

AOTF2618L